Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 16V, Fréquence - Transition: 470MHz, Gagner: 12.5dB, Puissance - Max: 3W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 35V, Fréquence - Transition: 175MHz, Gagner: 7.6dB, Puissance - Max: 60W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gagner: 6.7dB, Puissance - Max: 880W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 55V, Fréquence - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz, Gagner: 7.5dB, Puissance - Max: 97W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 18V, Fréquence - Transition: 30MHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 270W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 55V, Fréquence - Transition: 30MHz, Gagner: 14.5dB, Puissance - Max: 330W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 16V, Fréquence - Transition: 175MHz, Gagner: 11dB ~ 13dB, Puissance - Max: 3W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 18V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz, Gagner: 13dB ~ 15.5dB, Puissance - Max: 1.25W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 55V, Fréquence - Transition: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Gagner: 7.27dB, Puissance - Max: 875W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Gagner: 13dB ~ 15.5dB, Puissance - Max: 1.25W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 16V, Fréquence - Transition: 175MHz, Gagner: 11.5dB, Puissance - Max: 3W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 400MHz ~ 500MHz, Gagner: 9.7dB, Puissance - Max: 1167W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 17dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 150MHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 800mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 600MHz, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 600MHz, Puissance - Max: 225mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.5V, Fréquence - Transition: 6.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Puissance - Max: 130mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Puissance - Max: 125mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 11.5dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 13.5dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 1.2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz, Puissance - Max: 90mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 1.215GHz, Gagner: 7.4dB, Puissance - Max: 690W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Gagner: 9.2dB, Puissance - Max: 70W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 55V, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 150W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 80V, Gagner: 8.58dB, Puissance - Max: 188W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.3V, Fréquence - Transition: 7.7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Gagner: 10.5dB, Puissance - Max: 1.6W,
