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RFQS / Commande
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Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, pr&eacut

ADTA143ZUAQ-7
Diodes Incorporated

ADTA143ZUAQ-7

stock de pièces: 152

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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ADTA144EUAQ-13
Diodes Incorporated

ADTA144EUAQ-13

stock de pièces: 126718

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms,

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ADTA114EUAQ-7
Diodes Incorporated

ADTA114EUAQ-7

stock de pièces: 131267

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms,

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ADTC124ECAQ-13
Diodes Incorporated

ADTC124ECAQ-13

stock de pièces: 123811

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms,

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ADTA114EUAQ-13
Diodes Incorporated

ADTA114EUAQ-13

stock de pièces: 101827

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms,

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ADTC143ZUAQ-13
Diodes Incorporated

ADTC143ZUAQ-13

stock de pièces: 182

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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ADTC143TUAQ-13
Diodes Incorporated

ADTC143TUAQ-13

stock de pièces: 128

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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ADTC114YUAQ-13
Diodes Incorporated

ADTC114YUAQ-13

stock de pièces: 147

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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ADTA143XUAQ-13
Diodes Incorporated

ADTA143XUAQ-13

stock de pièces: 126

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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ADTA143XUAQ-7
Diodes Incorporated

ADTA143XUAQ-7

stock de pièces: 9928

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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ADTC114YUAQ-7
Diodes Incorporated

ADTC114YUAQ-7

stock de pièces: 9985

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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ADTC124ECAQ-7
Diodes Incorporated

ADTC124ECAQ-7

stock de pièces: 132443

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms,

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ADTC114EUAQ-7
Diodes Incorporated

ADTC114EUAQ-7

stock de pièces: 149741

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms,

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ADTC144EUAQ-7
Diodes Incorporated

ADTC144EUAQ-7

stock de pièces: 162255

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms,

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ADTC143TUAQ-7
Diodes Incorporated

ADTC143TUAQ-7

stock de pièces: 9972

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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ADTA144ECAQ-7
Diodes Incorporated

ADTA144ECAQ-7

stock de pièces: 167067

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms,

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ADTA144EUAQ-7
Diodes Incorporated

ADTA144EUAQ-7

stock de pièces: 145892

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms,

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ADTA144ECAQ-13
Diodes Incorporated

ADTA144ECAQ-13

stock de pièces: 103821

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms,

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ADTC144EUAQ-13
Diodes Incorporated

ADTC144EUAQ-13

stock de pièces: 169878

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms,

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ADTC114EUAQ-13
Diodes Incorporated

ADTC114EUAQ-13

stock de pièces: 107782

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms,

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ADTA143ZUAQ-13
Diodes Incorporated

ADTA143ZUAQ-13

stock de pièces: 1775

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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BCR 135F E6327
Infineon Technologies

BCR 135F E6327

stock de pièces: 2128

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR158E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR158E6327HTSA1

stock de pièces: 111325

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR562E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR562E6327HTSA1

stock de pièces: 174692

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

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BCR198E6393HTSA1
Infineon Technologies

BCR198E6393HTSA1

stock de pièces: 2061

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 519 E6327
Infineon Technologies

BCR 519 E6327

stock de pièces: 2048

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V,

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BCR 198T E6327
Infineon Technologies

BCR 198T E6327

stock de pièces: 2013

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR166WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR166WE6327HTSA1

stock de pièces: 2057

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 162L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 162L3 E6327

stock de pièces: 2049

Type de transistor: PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

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BCR141WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR141WE6327HTSA1

stock de pièces: 2073

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR 119 E6433
Infineon Technologies

BCR 119 E6433

stock de pièces: 2021

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR 129F E6327
Infineon Technologies

BCR 129F E6327

stock de pièces: 2023

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR 133F B6327
Infineon Technologies

BCR 133F B6327

stock de pièces: 1978

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR108WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR108WE6327BTSA1

stock de pièces: 2069

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 101T E6327
Infineon Technologies

BCR 101T E6327

stock de pièces: 1992

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 50mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 100 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 100 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR505E6778HTSA1
Infineon Technologies

BCR505E6778HTSA1

stock de pièces: 5409

Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

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