Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 650MHz, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3.5V, Fréquence - Transition: 24GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 17dB, Puissance - Max: 50mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.5GHz, Gagner: 10dB @ 1.5GHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6.7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 11dB, Puissance - Max: 800mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 600MHz, Puissance - Max: 225mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 8V, Fréquence - Transition: 16GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 13.5dB, Puissance - Max: 700mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 14dB @ 1GHz, Puissance - Max: 700mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 2GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 24V, Fréquence - Transition: 470MHz ~ 860MHz, Gagner: 11dB, Puissance - Max: 8W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.03GHz, Gagner: 8.9dB, Puissance - Max: 8750W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Fréquence - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz, Gagner: 6.2db ~ 7dB, Puissance - Max: 575W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Fréquence - Transition: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 350W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Fréquence - Transition: 470MHz ~ 860MHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 135W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 16V, Fréquence - Transition: 470MHz, Gagner: 12.5dB, Puissance - Max: 3W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Gagner: 20dB, Puissance - Max: 1.5W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 35V, Fréquence - Transition: 136MHz, Gagner: 4.5dB, Puissance - Max: 117W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gagner: 13.5dB, Puissance - Max: 205mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.3dB @ 1GHz, Gagner: 8.3dB, Puissance - Max: 1.8W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 1.8W,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 1.2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gagner: 9.4dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Gagner: 11.6dB, Puissance - Max: 6.4W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.3V, Fréquence - Transition: 12.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Gagner: 11.8dB, Puissance - Max: 800mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 35V, Gagner: 13.5dB, Puissance - Max: 30W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Gagner: 10.16dB ~ 10.25dB, Puissance - Max: 50W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.6GHz, Gagner: 8.4dB, Puissance - Max: 45W,
Type de transistor: 5 NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Puissance - Max: 150mW,
