Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Gagner: 8.16dB ~ 8.86dB, Puissance - Max: 75W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Gagner: 14dB, Puissance - Max: 250W,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.5V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Gagner: 4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ, Puissance - Max: 140mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 1.2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 14.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 11.5dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 18GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 9.5dB ~ 11.5dB, Puissance - Max: 130mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Gagner: 8.3dB, Puissance - Max: 2W,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.5GHz, Gagner: 14dB ~ 26dB, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 650MHz, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 600MHz, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 16V, Fréquence - Transition: 870MHz, Gagner: 8dB ~ 9.5dB, Puissance - Max: 2.2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.5dB @ 1GHz, Gagner: 17dB, Puissance - Max: 180W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 35V, Fréquence - Transition: 30MHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 320W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 87.5W,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 70V, Fréquence - Transition: 1GHz ~ 1.4GHz, Gagner: 14dB, Puissance - Max: 3.5W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Fréquence - Transition: 470MHz ~ 860MHz, Gagner: 8.5dB ~ 9.5dB, Puissance - Max: 290W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Fréquence - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz, Gagner: 8dB ~ 8.5dB, Puissance - Max: 290W,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Gagner: 25dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 500MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Gagner: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 55V, Fréquence - Transition: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Gagner: 8dB ~ 9dB, Puissance - Max: 290W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz, Gagner: 6.3dB, Puissance - Max: 875W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 11V, Fréquence - Transition: 3.2GHz, Puissance - Max: 330mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Gagner: 11.6dB, Puissance - Max: 6.4W,
Type de transistor: 5 NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 1.9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.3dB @ 1.8GHz, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 600mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 60V, Fréquence - Transition: 1.4GHz, Gagner: 8dB, Puissance - Max: 570W,
