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RFQS / Commande
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Transistors - Bipolaires (BJT) - Tableaux, pr&eacu

ADC124EUQ-7
Diodes Incorporated

ADC124EUQ-7

stock de pièces: 102169

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

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ACX114YUQ-13R
Diodes Incorporated

ACX114YUQ-13R

stock de pièces: 122236

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, 47 kOhms,

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ADC124EUQ-13
Diodes Incorporated

ADC124EUQ-13

stock de pièces: 174294

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

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ADA114EUQ-7
Diodes Incorporated

ADA114EUQ-7

stock de pièces: 198421

Type de transistor: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, 10 kOhms,

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ACX124EUQ-7R
Diodes Incorporated

ACX124EUQ-7R

stock de pièces: 171910

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

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ADA114YUQ-7
Diodes Incorporated

ADA114YUQ-7

stock de pièces: 112948

Type de transistor: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

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ADC114YUQ-7
Diodes Incorporated

ADC114YUQ-7

stock de pièces: 176159

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

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ACX114YUQ-7R
Diodes Incorporated

ACX114YUQ-7R

stock de pièces: 162673

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, 47 kOhms,

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ADA114EUQ-13
Diodes Incorporated

ADA114EUQ-13

stock de pièces: 149878

Type de transistor: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, 10 kOhms,

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ADA114YUQ-13
Diodes Incorporated

ADA114YUQ-13

stock de pièces: 147362

Type de transistor: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

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ADC144EUQ-13
Diodes Incorporated

ADC144EUQ-13

stock de pièces: 21546

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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ACX124EUQ-13R
Diodes Incorporated

ACX124EUQ-13R

stock de pièces: 121902

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

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ADC114YUQ-13
Diodes Incorporated

ADC114YUQ-13

stock de pièces: 121085

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

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BCR35PNH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR35PNH6327XTSA1

stock de pièces: 152076

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 48PN H6727
Infineon Technologies

BCR 48PN H6727

stock de pièces: 1466

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70mA, 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 141S H6727
Infineon Technologies

BCR 141S H6727

stock de pièces: 1531

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR35PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR35PNE6327BTSA1

stock de pièces: 1529

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 22PN H6727
Infineon Technologies

BCR 22PN H6727

stock de pièces: 1468

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR 148S H6827
Infineon Technologies

BCR 148S H6827

stock de pièces: 1537

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 133S H6444
Infineon Technologies

BCR 133S H6444

stock de pièces: 1441

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR 141S E6727
Infineon Technologies

BCR 141S E6727

stock de pièces: 1506

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR 116S H6727
Infineon Technologies

BCR 116S H6727

stock de pièces: 3210

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 116S E6727
Infineon Technologies

BCR 116S E6727

stock de pièces: 1473

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR108SH6433XTMA1
Infineon Technologies

BCR108SH6433XTMA1

stock de pièces: 1470

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR08PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR08PNE6327BTSA1

stock de pièces: 1495

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR48PNE6433BTMA1
Infineon Technologies

BCR48PNE6433BTMA1

stock de pièces: 1457

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70mA, 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR48PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR48PNE6327BTSA1

stock de pièces: 3149

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 70mA, 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR35PNE6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR35PNE6433HTMA1

stock de pièces: 1427

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR22PNE6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR22PNE6433HTMA1

stock de pièces: 1454

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR198SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR198SE6327BTSA1

stock de pièces: 1473

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR22PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR22PNE6327BTSA1

stock de pièces: 1505

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR185SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR185SE6327BTSA1

stock de pièces: 1465

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR183SE6433BTMA1
Infineon Technologies

BCR183SE6433BTMA1

stock de pièces: 1484

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR185SB6327XT
Infineon Technologies

BCR185SB6327XT

stock de pièces: 1459

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR183SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR183SE6327BTSA1

stock de pièces: 1440

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR169SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR169SE6327BTSA1

stock de pièces: 1509

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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