Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.8V, Fréquence - Transition: 22GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz, Gagner: 12.5dB ~ 26.5dB, Puissance - Max: 230mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 22dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 9V, Fréquence - Transition: 14GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Gagner: 15.5dB, Puissance - Max: 210mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 40GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gagner: 24dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gagner: 19.5dB, Puissance - Max: 160mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.7V, Fréquence - Transition: 39GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Gagner: 25dB, Puissance - Max: 40mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 9V, Fréquence - Transition: 14GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gagner: 10dB ~ 14.5dB, Puissance - Max: 210mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.4GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz, Puissance - Max: 280mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.4GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 800MHz, Puissance - Max: 280mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 17.5dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 30GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Gagner: 20dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 22dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 19dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 12dB ~ 18dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 22dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 20dB, Puissance - Max: 175mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 37GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gagner: 10.5dB ~ 21.5dB, Puissance - Max: 500mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.7V, Fréquence - Transition: 42GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Gagner: 24.5dB, Puissance - Max: 160mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 42GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gagner: 11dB ~ 21.5dB, Puissance - Max: 500mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 700MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Puissance - Max: 625mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 17GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2GHz, Gagner: 20dB ~ 22dB, Puissance - Max: 16mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 14GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB @ 2GHz, Gagner: 18dB, Puissance - Max: 60mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz, Gagner: 20dB, Puissance - Max: 135mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5GHz, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz, Puissance - Max: 500mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Gagner: 18dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 9.5V, Fréquence - Transition: 900MHz, Gagner: 8dB, Puissance - Max: 2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3V, Fréquence - Transition: 53GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz, Gagner: 15.8dB, Puissance - Max: 160mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 2.8V, Fréquence - Transition: 55GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz, Gagner: 10dB ~ 24dB, Puissance - Max: 136mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Gagner: 18.5dB, Puissance - Max: 450mW,
