Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 70V, Fréquence - Transition: 1.5GHz, Gagner: 13.5dB, Puissance - Max: 3.5W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 17V, Fréquence - Transition: 3GHz, Gagner: 13.5dB, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 16V, Fréquence - Transition: 175MHz, Gagner: 11.5dB, Puissance - Max: 3W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 31V, Fréquence - Transition: 225MHz ~ 400MHz, Gagner: 7.2dB ~ 8.5dB, Puissance - Max: 270W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 45V, Fréquence - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 10W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gagner: 7dB ~ 7.1dB, Puissance - Max: 720W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gagner: 6.2dB, Puissance - Max: 600W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 22V, Fréquence - Transition: 2GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 6W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Gagner: 21dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 225MHz, Gagner: 8.4dB, Puissance - Max: 220W,
Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.09GHz, Gagner: 6dB, Puissance - Max: 2900W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 18V, Fréquence - Transition: 175MHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 20W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 500MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Gagner: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gagner: 6.3dB, Puissance - Max: 875W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 35V, Fréquence - Transition: 150MHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 13W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 45V, Fréquence - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gagner: 9.5dB, Puissance - Max: 21.9W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 18V, Fréquence - Transition: 175MHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 70W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 35V, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 150W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 17dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 2GHz, Puissance - Max: 200W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 8V, Fréquence - Transition: 16GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Gagner: 17.5dB, Puissance - Max: 400mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 2GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 650MHz, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Puissance - Max: 2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.5V, Fréquence - Transition: 6.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Puissance - Max: 130mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 11.5dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: 5 NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 650MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, Gagner: 24dB, Puissance - Max: 125mW,
