Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 14GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Gagner: 18.3dB, Puissance - Max: 210mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz, Gagner: 22dB, Puissance - Max: 135mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 22GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz, Gagner: 21dB, Puissance - Max: 54mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 14GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB @ 2GHz, Gagner: 18dB, Puissance - Max: 60mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz, Puissance - Max: 400mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 900MHz, Puissance - Max: 2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 8GHz, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 1.9GHz, Puissance - Max: 400mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz, Puissance - Max: 500mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.7dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz, Puissance - Max: 700mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz, Puissance - Max: 32mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Puissance - Max: 380mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5GHz, Puissance - Max: 400mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Puissance - Max: 500mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1GHz, Puissance - Max: 380mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 8V, Fréquence - Transition: 1.9GHz, Gagner: 7dB, Puissance - Max: 400mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Puissance - Max: 400mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 470MHz, Puissance - Max: 2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 75V, Fréquence - Transition: 3.1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 80W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz, Gagner: 7dB ~ 11.5dB, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 40GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gagner: 24dB, Puissance - Max: 200mW,
