Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 35V, Fréquence - Transition: 118MHz ~ 136MHz, Gagner: 8.4dB, Puissance - Max: 15W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 18V, Fréquence - Transition: 175MHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 70W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 16V, Fréquence - Transition: 470MHz, Gagner: 9.5dB, Puissance - Max: 7.8W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 16V, Fréquence - Transition: 870MHz, Gagner: 8dB ~ 9.5dB, Puissance - Max: 2.2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 7.5W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 18V, Fréquence - Transition: 30MHz, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 80W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Gagner: 20dB, Puissance - Max: 1.5W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 18V, Fréquence - Transition: 175MHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 8W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.09GHz, Gagner: 7dB, Puissance - Max: 910W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.03GHz, Gagner: 8dB ~ 9dB, Puissance - Max: 1944W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Fréquence - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz, Gagner: 7dB ~ 8dB, Puissance - Max: 175W,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 2.5GHz, Gagner: 25dB, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.45GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 40V, Fréquence - Transition: 450MHz, Puissance - Max: 225mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3.5V, Fréquence - Transition: 22.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 16dB, Puissance - Max: 50mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 800mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 800MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Gagner: 24dB, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 18dB, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Gagner: 8.5dB, Puissance - Max: 100W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 18V, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 60W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 350W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gagner: 19dB, Puissance - Max: 45mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Gagner: 11.6dB, Puissance - Max: 6.4W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 20GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 735mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 9.2V, Fréquence - Transition: 10GHz, Gagner: 23dB, Puissance - Max: 1.5W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 5GHz, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Gagner: 7dB, Puissance - Max: 2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Gagner: 8.3dB, Puissance - Max: 2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3.3V, Fréquence - Transition: 21GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Gagner: 14dB, Puissance - Max: 115mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Gagner: 16.5dB, Puissance - Max: 1.8W,
Type de transistor: 3 NPN + 2 PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, 15V, Fréquence - Transition: 8GHz, 5.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.3GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz, Puissance - Max: 330mW,
