Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Fréquence - Transition: 225MHz ~ 400MHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 11W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 55V, Fréquence - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz, Gagner: 7dB ~ 8.2dB, Puissance - Max: 220W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3.5V, Fréquence - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 10W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz, Gagner: 13dB ~ 15.5dB, Puissance - Max: 1.25W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gagner: 9dB ~ 10dB, Puissance - Max: 2500W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 16V, Fréquence - Transition: 450MHz ~ 512MHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 5W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gagner: 8dB, Puissance - Max: 400W,
Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gagner: 8.4dB, Puissance - Max: 220W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.03GHz, Gagner: 10dB ~ 10.5dB, Puissance - Max: 3400W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 18V, Fréquence - Transition: 150MHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 10W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.03GHz, Gagner: 10.2dBd, Puissance - Max: 2095W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Gagner: 13dB ~ 15.5dB, Puissance - Max: 1.25W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 18V, Fréquence - Transition: 175MHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 34W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.09GHz, Gagner: 8dB, Puissance - Max: 880W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1GHz, Gagner: 13.5dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.3dB @ 1GHz, Gagner: 8.3dB, Puissance - Max: 1.8W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 7dB ~ 10dB, Puissance - Max: 130mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 11.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 700mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz, Gagner: 10.5dB, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Gagner: 7.5dB, Puissance - Max: 30W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 55V, Gagner: 9.5dB, Puissance - Max: 30W,
Type de transistor: 5 NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.25dB @ 1kHz, Puissance - Max: 750mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 800MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Gagner: 24dB, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3.5V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Gagner: 17dB, Puissance - Max: 120mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 8V, Fréquence - Transition: 16GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 17.5dB, Puissance - Max: 400mW,
Type de transistor: 6 NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Gagner: 12.4dB ~ 17.5dB, Puissance - Max: 250mW,
