Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 7GHz, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz, Puissance - Max: 500mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz, Gagner: 20dB, Puissance - Max: 135mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 2.8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.5dB @ 800MHz, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 14GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Gagner: 18.3dB, Puissance - Max: 210mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.5dB @ 500MHz, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.3dB @ 500MHz, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz, Puissance - Max: 400mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 8V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz, Puissance - Max: 650mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.3dB @ 500MHz, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.4dB @ 900MHz, Puissance - Max: 1.2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 4GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.4dB @ 500MHz, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 21GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz, Gagner: 16dB, Puissance - Max: 360mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5.5GHz, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz, Puissance - Max: 500mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 22GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz, Gagner: 21dB, Puissance - Max: 54mW,
