Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 1.8W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 13.5dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Gagner: 8.3dB, Puissance - Max: 2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gagner: 7.5dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 14.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3.3V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Gagner: 18dB, Puissance - Max: 115mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Gagner: 7dB, Puissance - Max: 2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 11.5dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1GHz, Gagner: 13.5dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz, Gagner: 7dB, Puissance - Max: 940W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 55V, Fréquence - Transition: 30MHz, Gagner: 14dB, Puissance - Max: 127W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 55V, Fréquence - Transition: 30MHz, Gagner: 14dB, Puissance - Max: 233W,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Gagner: 25dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gagner: 6.5dB, Puissance - Max: 1458W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 55V, Fréquence - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz, Gagner: 8.1dB ~ 8.9dB, Puissance - Max: 50W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 36V, Fréquence - Transition: 30MHz, Gagner: 18dB, Puissance - Max: 80W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Fréquence - Transition: 100MHz ~ 400MHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 28W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 35V, Fréquence - Transition: 175MHz, Gagner: 7.6dB, Puissance - Max: 60W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 16V, Fréquence - Transition: 870MHz, Gagner: 8dB ~ 9.5dB, Puissance - Max: 2.2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 87.5W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 150MHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 650MHz, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.5GHz, Gagner: 14dB ~ 26dB, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 55GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 12GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 136mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 80W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Gagner: 11.6dB, Puissance - Max: 6.4W,
Type de transistor: 5 NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Puissance - Max: 150mW,
