Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 800MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz, Puissance - Max: 280mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 10.5dB ~ 16dB, Puissance - Max: 280mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 9.5dB ~ 14.5dB, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 40GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gagner: 23dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 37GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gagner: 10.5dB ~ 21.5dB, Puissance - Max: 500mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2dB ~ 3.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 8dB ~ 13.5dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3.5V, Fréquence - Transition: 45GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz, Gagner: 24dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 24GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Gagner: 15.5dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gagner: 21dB, Puissance - Max: 160mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Gagner: 23dB, Puissance - Max: 75mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 75V, Fréquence - Transition: 3.1GHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 270W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 75V, Fréquence - Transition: 3.1GHz, Gagner: 7dB, Puissance - Max: 500W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.3GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz, Puissance - Max: 330mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 600MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Puissance - Max: 330mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 40V, Fréquence - Transition: 1.1GHz, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 1.1GHz, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 8V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz, Puissance - Max: 500mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 7GHz, Puissance - Max: 2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 18GHz, Puissance - Max: 600mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz, Gagner: 23dB, Puissance - Max: 135mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Puissance - Max: 500mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 7GHz, Puissance - Max: 2.25W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 4GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Puissance - Max: 300mW,
