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Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 10.5dB ~ 16.5dB, Puissance - Max: 700mW,