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Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.5V, Fréquence - Transition: 18GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz, Gagner: 15.5dB ~ 18.5dB, Puissance - Max: 230mW,