Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 2.8V, Fréquence - Transition: 55GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz, Puissance - Max: 197mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 2.8V, Fréquence - Transition: 45GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz, Puissance - Max: 220mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 9.5V, Gagner: 13.5dB, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Gagner: 12.5dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz, Gagner: 10.5dB, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 2.8V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz, Gagner: 13.1dB, Puissance - Max: 220mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.5V, Fréquence - Transition: 15GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz, Gagner: 13.5dB ~ 23.5dB, Puissance - Max: 136mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gagner: 12.5dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 10.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gagner: 18dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gagner: 16.5dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz, Gagner: 22dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gagner: 15.5dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz, Gagner: 15.5dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 10.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz, Gagner: 20dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz, Gagner: 21.5dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz, Gagner: 19dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Gagner: 14dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Gagner: 18.5dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz, Gagner: 21dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz, Puissance - Max: 32mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 12.5dB, Puissance - Max: 580mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 40GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gagner: 23dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 2.25V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz, Gagner: 13.5dB ~ 25dB, Puissance - Max: 125mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.7V, Fréquence - Transition: 46GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gagner: 8B ~ 30.5dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 9V, Fréquence - Transition: 14GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Gagner: 15.5dB, Puissance - Max: 210mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.7V, Fréquence - Transition: 45GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gagner: 10dB ~ 29dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 2.8V, Fréquence - Transition: 65GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gagner: 21dB ~ 10dB, Puissance - Max: 185mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 9V, Fréquence - Transition: 14GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Gagner: 9.5dB ~ 13.5dB, Puissance - Max: 380mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3.5V, Fréquence - Transition: 45GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz, Gagner: 22.5dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.7V, Fréquence - Transition: 45GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gagner: 10.5dB ~ 28dB, Puissance - Max: 100mW,
