Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.5V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, Gagner: 11dB ~ 12.5dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.5V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, Gagner: 12.5dB ~ 14dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Puissance - Max: 3W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.5V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz, Gagner: 11dB ~ 13dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Gagner: 9dB ~ 15.5dB, Puissance - Max: 225mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.5V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz, Gagner: 14dB ~ 16dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 10dB ~ 15dB, Puissance - Max: 580mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 10.5dB ~ 16dB, Puissance - Max: 280mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.5V, Fréquence - Transition: 40GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gagner: 12.5dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Gagner: 21dB, Puissance - Max: 160mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3.7V, Fréquence - Transition: 60GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz, Gagner: 26dB, Puissance - Max: 120mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 2.8V, Fréquence - Transition: 65GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gagner: 21.5dB, Puissance - Max: 185mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.8V, Fréquence - Transition: 22GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz, Gagner: 12.5dB ~ 26.5dB, Puissance - Max: 230mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.7V, Fréquence - Transition: 45GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gagner: 10.5dB ~ 28.5dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB @ 900MHz, Gagner: 9.7dB, Puissance - Max: 700mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.7V, Fréquence - Transition: 42GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Gagner: 27dB, Puissance - Max: 160mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 30GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Gagner: 21.5dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 10.5dB ~ 16.5dB, Puissance - Max: 700mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 24GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Gagner: 15.5dB, Puissance - Max: 450mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 19dB, Puissance - Max: 175mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 22dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.4GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 800MHz, Puissance - Max: 280mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Gagner: 21.5dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.7V, Fréquence - Transition: 45GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gagner: 8.5dB ~30.5dB, Puissance - Max: 160mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Gagner: 17.5dB ~ 21dB, Puissance - Max: 175mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Gagner: 23dB, Puissance - Max: 75mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4.7V, Fréquence - Transition: 43GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz, Gagner: 11dB ~ 30.5dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 2.8V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz, Puissance - Max: 234mW,
