Taper: Wirewound, Inductance: 3.3mH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 530mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 39µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 3.8A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 33µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 4A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 12nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 320mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 6.8µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 6.3A,
Taper: Wirewound, Inductance: 15µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 410mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 6.8mH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 360mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 10nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 400mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.9nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 450mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 4.7µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 1.1A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 8.2nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 400mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.3nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 500mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 22µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 8A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1.8nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 400mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 2.2nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 400mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 150µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 2.4A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 39nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 300mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 3.9µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 1.6A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.2nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 500mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 820µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 1A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 150nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 100mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 5.6nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 340mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 33nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 170mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 8.2mH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 340mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 15nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 350mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 68µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 3.5A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 33nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 170mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 2.4µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 2.05A,
Taper: Wirewound, Inductance: 6.8µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 1.2A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 68nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 250mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 220µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 2.1A,
Taper: Wirewound, Inductance: 47µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 220mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 390µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 1.5A,
Taper: Wirewound, Inductance: 12µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 5.1A,
Taper: Wirewound, Inductance: 4.7µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 1.5A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.3nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 500mA,
