Taper: Wirewound, Inductance: 100µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 70mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 47µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 100mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 56µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 400mA,
Inductance: 6.8µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 1.4A,
Taper: Wirewound, Inductance: 470nH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 3.9A, Courant - Saturation: 5.5A,
Taper: Wirewound, Inductance: 2.2µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 2.1A, Courant - Saturation: 2.1A,
Taper: Wirewound, Inductance: 330nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 170mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 10µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 1.06A, Courant - Saturation: 1.4A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.9nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 360mA,
Inductance: 3.3µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 2A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 68µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 420mA,
Inductance: 4.7µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 1.65A,
Taper: Wirewound, Inductance: 22µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 750mA, Courant - Saturation: 650mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 68µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 350mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 560nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 150mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 18µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 710mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 8.2nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 490mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 3.9µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 175mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 18nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 800mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 5.6µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 1.45A,
Taper: Wirewound, Inductance: 2.4µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 1.15A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 9.1µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 1.1A,
Taper: Wirewound, Inductance: 5.6µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 330mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 100µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 340mA, Courant - Saturation: 300mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 3.3µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 2A, Courant - Saturation: 1.9A,
Taper: Wirewound, Inductance: 12µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 195mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 56nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 200mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 33µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 490mA, Courant - Saturation: 490mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 12nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 400mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 2.2nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 2.1A,
Taper: Wirewound, Inductance: 12µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 125mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 4.7nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 450mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 6.8nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 320mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 68µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 85mA,
Inductance: 180µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 5mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 47µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 165mA, Courant - Saturation: 300mA,
