Taper: Wirewound, Inductance: 15µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 800mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 82nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 110mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 4.7mH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 430mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 5.6nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 340mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 10µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 5.4A,
Taper: Wirewound, Inductance: 1.8µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 2.3A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 33µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 6A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 10nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 400mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 270µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 1.7A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 180nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 80mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 10µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 11A,
Taper: Wirewound, Inductance: 120µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 2.6A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 22nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 300mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 100nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 90mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 8.2µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 850mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 10nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 320mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 330µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 1.6A,
Taper: Wirewound, Inductance: 1µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 2.2A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 6.2µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 3.8mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 1.2mH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 850mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 180µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 2.3A,
Taper: Wirewound, Inductance: 18µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 4.5A,
Taper: Wirewound, Inductance: 1.8mH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 750mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 6.8nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 430mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 100nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 200mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 33µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 530mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 82nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 250mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 100nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 90mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 12nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 1.3A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 6.8nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 1.9A,
Taper: Wirewound, Inductance: 68µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 350mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 68nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 120mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 22µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 350mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 12nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 400mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 120nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 130mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.9nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 450mA,
