Taper: Wirewound, Inductance: 1.8µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 410mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 400mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 18nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 350mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 400mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 820nH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 130mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 820nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 145mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 100nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 175mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.9nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 360mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.3nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 400mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 27nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 300mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 18nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 240mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 6.8nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 430mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 10nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 1.4A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 5.6nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 340mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 1.5mH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 800mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 18nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 250mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.7nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 500mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 15µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 10A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 8.2nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 1.7A,
Taper: Wirewound, Inductance: 5.6mH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 390mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.2nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 500mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 10µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 1A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 4.7nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 2.1A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 22nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 200mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1.5nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 500mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 33µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 300mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 56nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 250mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 56nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 250mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 180nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 80mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 1.3µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 5.4mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 8.2nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 320mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 4.7µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 800mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 15nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 350mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 56µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 3.6A,
Taper: Wirewound, Inductance: 18µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 720mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 27µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 4.1A,