Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 800MHz, Gagner: 11dB ~ 14dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 8V, Fréquence - Transition: 1.1GHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 800MHz, Gagner: 11dB ~ 14dB, Puissance - Max: 125mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Fréquence - Transition: 250MHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 800MHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 300MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz, Puissance - Max: 125mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 230MHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 1.6GHz, Gagner: 20dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.5dB @ 800MHz, Gagner: 9dB ~ 12dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 650MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, Gagner: 24dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 250MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.7dB @ 800MHz, Gagner: 7.5dB ~ 10dB, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 650MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, Gagner: 24dB, Puissance - Max: 125mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 250MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz, Puissance - Max: 125mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Fréquence - Transition: 250MHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 230MHz, Puissance - Max: 125mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 250MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 650MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, Gagner: 24dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 1.9GHz, Puissance - Max: 125mW,
