Taper: Wirewound, Inductance: 180µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 50mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 3.9nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 2.1A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 5.1nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 680mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 3.9nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 850mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 8.2µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 140mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 68nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 340mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 9.1nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 320mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 39nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 150mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 56µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 70mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 12nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 600mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 2.2nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 970mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 47µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 75mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 18nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 550mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 82nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 290mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 4.7nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 850mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 1µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 230mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 4.3nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 850mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 6.2nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 750mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 22µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 105mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 27nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 440mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.3nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 850mA,
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