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Taper: Wirewound, Inductance: 680µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 1.1A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 4.7nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 360mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 3.9mH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 470mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 3µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 1.8A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1.2nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 400mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 5.6µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 750mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 22µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 500mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 220µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 2A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.7nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 500mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 100µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 0.82mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 82µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 3.2A,
Taper: Wirewound, Inductance: 10µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 750mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 4.7nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 360mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 100nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 200mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 120nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 130mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 5.6µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 1A,
Taper: Wirewound, Inductance: 22µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 4.3A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 82nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 250mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 10mH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 300mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 12nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 320mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 2.7mH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 600mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 47nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 250mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1.2nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 500mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 100nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 250mA,
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Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 33nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 170mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 18µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 310mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 120nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 210mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 6.8µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 150mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 6.8nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 750mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 4.3nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 850mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 3.3nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 850mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 15nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 600mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 220µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 45mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 2.7µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 180mA,
