Taper: Wirewound, Inductance: 27µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 90mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 5.6nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 750mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.9nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 850mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 330nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 330mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 2.7µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 145mA,
Inductance: 7.2µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 12A, Courant - Saturation: 8.6A,
Taper: Wirewound, Inductance: 5.6µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 160mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 27µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 330mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 2.2µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 190mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 600nH, Tolérance: ±25%, Note actuelle: 26A,
Taper: Wirewound, Inductance: 68µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 65mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 4.7nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 850mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 47nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 380mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 15µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 120mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 150µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 50mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 12µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 125mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 3.3nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 850mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 5.6nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 750mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 2.7nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 900mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 56nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 360mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 1.2µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 215mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 3.3µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 180mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 4.7nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 850mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 56nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 130mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 8.2nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 650mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 220nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 120mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 5.1nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 680mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 5.6nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 750mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.9nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 850mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 3.9µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 175mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 33µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 85mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 2.7nH, Tolérance: ±0.5nH, Note actuelle: 900mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 82µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 320mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 18µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 110mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.3nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 850mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 15nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 900mA,
