Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 600MHz, Puissance - Max: 225mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Fréquence - Transition: 700MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz, Gagner: 20dB ~ 24dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 1.4GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz, Gagner: 20dB ~ 23dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 600MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 800MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Gagner: 24dB, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 650MHz, Puissance - Max: 225mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Fréquence - Transition: 600MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2dB @ 200MHz, Gagner: 20dB ~ 23dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 600MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Gagner: 18dB ~ 22dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 2GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 16V, Gagner: 11dB ~ 13dB, Puissance - Max: 3W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 175W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 14dB ~ 16dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 11dB, Puissance - Max: 180mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 2GHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz, Gagner: 6.5dB ~ 12.5dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 14GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.6dB @ 2GHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Gagner: 10.2dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3V, Fréquence - Transition: 11GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz, Puissance - Max: 90mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.9dB @ 1GHz ~ 4GHz, Gagner: 5.3dB ~ 12.5dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Puissance - Max: 125mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gagner: 9.6dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Puissance - Max: 125mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Gagner: 7dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gagner: 13.5dB, Puissance - Max: 205mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 650MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 500MHz, Puissance - Max: 330mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.3GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz, Gagner: 53dB, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 18V, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 183W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 55V, Gagner: 15dB ~ 17dB, Puissance - Max: 330W,
Type de transistor: 5 PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: 5 NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Puissance - Max: 150mW,
