Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Gagner: 25dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 9V, Fréquence - Transition: 8.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz,