Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 8V, Fréquence - Transition: 16GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 17.5dB @ 1GHz, Puissance - Max: 400mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.1GHz, Puissance - Max: 400mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 150MHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Gagner: 8.5dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 650MHz, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Gagner: 10.3dB ~ 11.65dB, Puissance - Max: 225W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 18V, Fréquence - Transition: 136MHz ~ 175MHz, Gagner: 6dB, Puissance - Max: 270W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gagner: 5.6dB, Puissance - Max: 1350W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 40V, Fréquence - Transition: 175MHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 7W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Gagner: 20dB, Puissance - Max: 1.5W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 55V, Fréquence - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz, Gagner: 7dB, Puissance - Max: 583W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 16V, Fréquence - Transition: 870MHz, Gagner: 8dB ~ 9.5dB, Puissance - Max: 2.2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 55V, Fréquence - Transition: 30MHz, Gagner: 14dB, Puissance - Max: 233W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 4GHz, Gagner: 9dB ~ 10dB, Puissance - Max: 2.5W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz, Gagner: 6.6dB, Puissance - Max: 1166W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 1.09GHz, Gagner: 10.8dB, Puissance - Max: 600mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 75V, Fréquence - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 2500W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Gagner: 11.6dB, Puissance - Max: 6.4W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 650MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, Gagner: 24dB, Puissance - Max: 125mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 16V, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 70W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 16V, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 70W,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Gagner: 7.5dB, Puissance - Max: 75W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Gagner: 8.23dB ~ 9.09dB, Puissance - Max: 65W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 4GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz, Gagner: 4.5dBi, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: 5 NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.3GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz, Gagner: 53dB, Puissance - Max: 350mW,
