Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 5.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gagner: 9.6dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 2GHz, Puissance - Max: 90mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Puissance - Max: 140mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Puissance - Max: 130mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 11dB, Puissance - Max: 125mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 14dB ~ 16dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gagner: 9.4dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gagner: 7.5dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Puissance - Max: 125mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 14dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.5V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Puissance - Max: 130mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 600MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 330mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 55V, Gagner: 14dB, Puissance - Max: 318W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 55V, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 233W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 650MHz, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 600MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Gagner: 11dB, Puissance - Max: 225mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 800MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Gagner: 24dB, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Fréquence - Transition: 700MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz, Gagner: 20dB ~ 24dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.1GHz, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 600MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Gagner: 18dB ~ 22dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 600MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: 6 NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Gagner: 12.4dB ~ 17.5dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: 5 PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6.5V, Fréquence - Transition: 15GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz, Gagner: 15dB ~ 22dB, Puissance - Max: 188mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 65V, Fréquence - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Gagner: 8.4dB, Puissance - Max: 292W,
