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0RFQS / Commande
0RFQS / Commande

Transistors - Bipolaires (BJT) - RF

KSC1393OTA
ON Semiconductor

KSC1393OTA

stock de pièces: 7105

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Fréquence - Transition: 700MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz, Gagner: 20dB ~ 24dB, Puissance - Max: 250mW,

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MMBTH10LT1
ON Semiconductor

MMBTH10LT1

stock de pièces: 7082

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 650MHz, Puissance - Max: 225mW,

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MMBTH81
ON Semiconductor

MMBTH81

stock de pièces: 150632

Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 600MHz, Puissance - Max: 225mW,

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MCH4020-TL-E
ON Semiconductor

MCH4020-TL-E

stock de pièces: 7044

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 8V, Fréquence - Transition: 16GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 17.5dB, Puissance - Max: 400mW,

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KSC1674CYBU
ON Semiconductor

KSC1674CYBU

stock de pièces: 7152

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 600MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Puissance - Max: 250mW,

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MPSH17_D27Z
ON Semiconductor

MPSH17_D27Z

stock de pièces: 7065

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 800MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Gagner: 24dB, Puissance - Max: 350mW,

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MMBTH10-4LT1G
ON Semiconductor

MMBTH10-4LT1G

stock de pièces: 110623

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 800MHz, Puissance - Max: 225mW,

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KSC2757OMTF
ON Semiconductor

KSC2757OMTF

stock de pièces: 7058

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.1GHz, Puissance - Max: 150mW,

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SS9018FBU
ON Semiconductor

SS9018FBU

stock de pièces: 172176

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.1GHz, Puissance - Max: 400mW,

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MPS5179G
ON Semiconductor

MPS5179G

stock de pièces: 7090

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 2GHz, Puissance - Max: 200mW,

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MPS5179_D27Z
ON Semiconductor

MPS5179_D27Z

stock de pièces: 7096

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 2GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 350mW,

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MMBTH10LT3G
ON Semiconductor

MMBTH10LT3G

stock de pièces: 135150

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 650MHz, Puissance - Max: 225mW,

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MPSH10RLRAG
ON Semiconductor

MPSH10RLRAG

stock de pièces: 7099

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 650MHz, Puissance - Max: 350mW,

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MMBTH34
ON Semiconductor

MMBTH34

stock de pièces: 7159

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 40V, Fréquence - Transition: 500MHz, Puissance - Max: 225mW,

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NE68033-A
CEL

NE68033-A

stock de pièces: 7177

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 200mW,

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NE68139-T1
CEL

NE68139-T1

stock de pièces: 7135

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz, Gagner: 13.5dB, Puissance - Max: 200mW,

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NE663M04-A
CEL

NE663M04-A

stock de pièces: 7133

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3.3V, Fréquence - Transition: 15GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Gagner: 14dB, Puissance - Max: 190mW,

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NE696M01-T1-A
CEL

NE696M01-T1-A

stock de pièces: 7144

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 14GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.6dB @ 2GHz, Puissance - Max: 150mW,

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NE68518-A
CEL

NE68518-A

stock de pièces: 4713

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 11dB, Puissance - Max: 150mW,

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NE685M33-A
CEL

NE685M33-A

stock de pièces: 4803

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Puissance - Max: 130mW,

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NE68130-T1
CEL

NE68130-T1

stock de pièces: 7123

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz, Gagner: 9dB ~ 13.5dB, Puissance - Max: 150mW,

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NE681M13-A
CEL

NE681M13-A

stock de pièces: 7119

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz, Puissance - Max: 140mW,

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NE94430-T1-A
CEL

NE94430-T1-A

stock de pièces: 7134

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 2GHz, Puissance - Max: 150mW,

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NE663M04-T2-A
CEL

NE663M04-T2-A

stock de pièces: 7110

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3.3V, Fréquence - Transition: 15GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Gagner: 14dB, Puissance - Max: 190mW,

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NE687M03-T1-A
CEL

NE687M03-T1-A

stock de pièces: 7148

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3V, Fréquence - Transition: 14GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz, Puissance - Max: 90mW,

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UPA802T-A
CEL

UPA802T-A

stock de pièces: 7081

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 200mW,

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NE68118-T1-A
CEL

NE68118-T1-A

stock de pièces: 4791

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 14dB, Puissance - Max: 150mW,

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HFA3046B96
Renesas Electronics America Inc.

HFA3046B96

stock de pièces: 7198

Type de transistor: 5 NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Puissance - Max: 150mW,

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HFA3134IH96
Renesas Electronics America Inc.

HFA3134IH96

stock de pièces: 7135

Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 9V, Fréquence - Transition: 8.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz,

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HFA3135IH96
Renesas Electronics America Inc.

HFA3135IH96

stock de pièces: 7082

Type de transistor: 2 PNP (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 9V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 5.2dB @ 900MHz,

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ZTX325STOA
Diodes Incorporated

ZTX325STOA

stock de pièces: 7175

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.3GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz, Gagner: 53dB, Puissance - Max: 350mW,

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FMMT5179TC
Diodes Incorporated

FMMT5179TC

stock de pièces: 7095

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 2GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 330mW,

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CMPTH81 TR
Central Semiconductor Corp

CMPTH81 TR

stock de pièces: 170249

Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 600MHz, Puissance - Max: 225mW,

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PRF957,115
NXP USA Inc.

PRF957,115

stock de pièces: 7145

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 8.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz, Puissance - Max: 270mW,

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SD1405
STMicroelectronics

SD1405

stock de pièces: 7105

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 18V, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 270W,

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MRF8372GR1
Microsemi Corporation

MRF8372GR1

stock de pièces: 7120

Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 16V, Fréquence - Transition: 870MHz, Gagner: 8dB ~ 9.5dB, Puissance - Max: 2.2W,

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