Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 2.4nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 400mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 4.7nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 1.3A,
Taper: Wirewound, Inductance: 1µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 230mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 1µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 195mA,
Inductance: 68µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 6mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 20nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 220mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 43nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 150mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 56µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 70mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 47µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 75mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 3.3µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 135mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 18nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 240mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 8.2nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 490mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1.8nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 500mA,
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Taper: Wirewound, Inductance: 18µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 65mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 150µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 50mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 33nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 220mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 22nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 200mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 330nH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 330mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 10µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 140mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 1.2µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 180mA,
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Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 1.5µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 550mA,
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Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 20nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 220mA,
