Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 270nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 165mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 33µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 155mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 39µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 230mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.3nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 400mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 680nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 155mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 4.7µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 350mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 27µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 550mA,
Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 10.2µH, Tolérance: ±25%, Note actuelle: 6.5A, Courant - Saturation: 4.7A,
Taper: Wirewound, Inductance: 4.7µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 130mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 100µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 150mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 8.2nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 900mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 10µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 80mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 470nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 155mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 15nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 240mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 330µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 30mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 3.9nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 2.1A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 330µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 50mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 6.8µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 1.4A, Courant - Saturation: 1.7A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.7nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 400mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 12nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 535mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 10µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 210mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 68µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 170mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 330nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 190mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 680nH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 260mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.3nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 500mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 3.9µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 130mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 82nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 250mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 18nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 350mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 560µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 50mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 100µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 105mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 4.7nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 2.1A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 82nH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 380mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 68µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 60mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 22µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 250mA, Courant - Saturation: 420mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 100µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 60mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 47nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 140mA,
