Taper: Wirewound, Inductance: 12µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 75mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 4.7µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 125mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 270µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 55mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 1.5µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 435mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 3.3nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 400mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 220µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 45mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 30nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 190mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 270nH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 345mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 5.1nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 350mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 18nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 350mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 22nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 200mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 100nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 175mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 2.2µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 155mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 10µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 80mA,
Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 15nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 150mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 1.8nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 400mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 5.1nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 350mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 15µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 70mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 2.4nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 400mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 47µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 390mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 12nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 270mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 680nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 110mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 680nH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 530mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 39nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 150mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 8.2nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 900mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 30nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 190mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 68µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 65mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 470nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 290mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 47nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 140mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.7nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 400mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 68nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 250mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 6.8nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 320mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 56nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 130mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 56nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 130mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1.5nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 400mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1.5nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 400mA,
