Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 22nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 200mA,
Inductance: 100µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 10mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 18µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 65mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 8.2µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 105mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 1.8µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 200mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 560nH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 275mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 47nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 205mA,
Inductance: 68µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 17mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 3.3nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 2.1A,
Taper: Wirewound, Inductance: 1.2µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 215mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 7.5nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 320mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 82µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 60mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 27µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 450mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 6.8µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 460mA, Courant - Saturation: 800mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 3.3nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 1.5A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 13nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 280mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 47µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 260mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 15nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 255mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 1.8µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 160mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 470nH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 290mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 68µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 70mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 33nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 170mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 8.2µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 140mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 2.2µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 190mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 150nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 160mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1.8nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 500mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.2nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 400mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 22µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 105mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 4.7nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 360mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 5.6µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 120mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 15µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 650mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 22nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 240mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 27nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 455mA,
Inductance: 27µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 18mA,
Inductance: 47µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 12mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 16nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 240mA,
