Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 3.3µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 400mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 18µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 205mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 47µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 210mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.2nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 500mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 82nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 290mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 8.2nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 400mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 1.8µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 145mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 33µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 110mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 10µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 240mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 15nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 900mA,
Inductance: 4.8µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 14.4A, Courant - Saturation: 10.6A,
Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 8.2µH, Tolérance: ±25%, Note actuelle: 7.2A, Courant - Saturation: 6A,
Taper: Wirewound, Inductance: 15µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 70mA,
Inductance: 1.2µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 22.6A, Courant - Saturation: 21.4A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 820nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 100mA,
Inductance: 220µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 5mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 82µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 100mA,
Inductance: 22µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 12mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.7nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 500mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 68µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 115mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 220nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 170mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 1µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 3A, Courant - Saturation: 4.5A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 18nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 240mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 39µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 80mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 15nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 520mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 120nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 275mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 47µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 130mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 2.2nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 400mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 220nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 70mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 2.2µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 155mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 6.8nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 430mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 820nH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 500mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1.5nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 500mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 2.7µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 2.05A, Courant - Saturation: 2A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 10nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 320mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 56µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 190mA,
