Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 8.2nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 400mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 120nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 130mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 33µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 175mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 150nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 160mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 2.2µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 390mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 1µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 125mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 56µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 125mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 47µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 80mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 4.7µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 240mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 56nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 200mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 56nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 250mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 3.3µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 140mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 100nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 200mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 810nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 190mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 4.7µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 70mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 180nH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 220mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 10nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 400mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 22nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 700mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 680µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 50mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 39µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 165mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 12nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 535mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 3.3µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 180mA,
Inductance: 12µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 17mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 33µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 120mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 5.6µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 160mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 18nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 800mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 22µH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 195mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 2.2µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 145mA,
Inductance: 150µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 5mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 10nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 650mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 18nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 550mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 6.8nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 430mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 33µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 95mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 39nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 300mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 150nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 100mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 5.6nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 430mA,
