Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 4.7nH, Tolérance: ±0.2nH, Note actuelle: 660mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 680nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 260mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 47µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 130mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 3.3µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 400mA, Courant - Saturation: 820mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 5.6nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 600mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 820nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 100mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 3.9nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 750mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 330µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 75mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 12nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 400mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 470nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 145mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 12µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 950mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 1µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 470mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 180µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 85mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 33µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 110mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 470nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 125mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 180nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 195mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 27µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 185mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 33µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 175mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 33nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 230mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 82nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 330mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 680µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 50mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 680nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 110mA,
Matériau - Noyau: Metal Composite, Inductance: 1.5µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 5.6A,
Taper: Wirewound, Inductance: 1mH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 40mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 330nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 160mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 1.2µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 3A, Courant - Saturation: 4.2A,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 39nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 210mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 27µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 115mA,
Matériau - Noyau: Metal Composite, Inductance: 330nH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 21A,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 2.7µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 4.75mA,
Taper: Wirewound, Inductance: 100µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 60mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 4.7µH, Tolérance: ±30%, Note actuelle: 4.2mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 33µH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 330mA, Courant - Saturation: 240mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 390nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 130mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Non-Magnetic, Inductance: 33nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 395mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ferrite, Inductance: 10µH, Tolérance: ±20%, Note actuelle: 3mA,
