Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 1.2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 20GHz, Gagner: 6.5dB, Puissance - Max: 735mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Gagner: 1.4dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Fréquence - Transition: 550MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 5dB @ 100MHz, Gagner: 23dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 4.5GHz ~ 5.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz, Gagner: 11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 4.5GHz ~ 5.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz, Gagner: 10dB @ 1GHz, Puissance - Max: 400mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz, Gagner: 9.5dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 250MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.8dB ~ 4dB @ 5MHz, Puissance - Max: 150mW,
