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RFQS / Commande
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Transistors - Bipolaires (BJT) - Tableaux, pr&eacu

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MUN5134DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5134DW1T1G

stock de pièces: 90827

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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SMUN5231DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5231DW1T1G

stock de pièces: 137429

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 2.2 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

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EMF5XV6T5G
ON Semiconductor

EMF5XV6T5G

stock de pièces: 186407

Type de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, 12V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V,

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NSBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC124EDXV6T1G

stock de pièces: 192037

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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NSBC124EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC124EDXV6T1

stock de pièces: 1432

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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NSBC115TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC115TDP6T5G

stock de pièces: 145523

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 100 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5135DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5135DW1T1G

stock de pièces: 164885

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NUS2401SNT1
ON Semiconductor

NUS2401SNT1

stock de pièces: 1477

Type de transistor: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 200mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 175 Ohms, 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms,

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MUN5213DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5213DW1T1G

stock de pièces: 182836

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC114EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114EDP6T5G

stock de pièces: 114384

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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NSVB144EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB144EPDXV6T1G

stock de pièces: 165773

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBA124EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBA124EDXV6T5G

stock de pièces: 1529

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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NSBC143TPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143TPDXV6T1

stock de pièces: 1497

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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NUS2401SNT1G
ON Semiconductor

NUS2401SNT1G

stock de pièces: 172039

Type de transistor: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 200mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 175 Ohms, 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 175 Ohms, 10 kOhms,

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NSM11156DW6T1G
ON Semiconductor

NSM11156DW6T1G

stock de pièces: 3218

Type de transistor: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, 65V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V,

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NSBA143EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA143EDXV6T1

stock de pièces: 1482

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

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NSTB60BDW1T1
ON Semiconductor

NSTB60BDW1T1

stock de pièces: 3141

Type de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 150mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V,

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MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5211DW1T1G

stock de pièces: 163042

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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NSBC143EPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC143EPDP6T5G

stock de pièces: 123578

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

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NSBC123EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC123EPDXV6T1

stock de pièces: 1438

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 2.2 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

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NSBC124EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC124EDP6T5G

stock de pièces: 164714

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5335DW1T1G

stock de pièces: 190768

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC124EPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC124EPDXV6T5G

stock de pièces: 134086

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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MUN5211DW1T1
ON Semiconductor

MUN5211DW1T1

stock de pièces: 1438

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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NSBC123EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC123EPDXV6T1G

stock de pièces: 1489

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 2.2 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

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MUN5137DW1T1
ON Semiconductor

MUN5137DW1T1

stock de pièces: 1469

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T1G

stock de pièces: 106805

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5336DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5336DW1T1G

stock de pièces: 9982

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 100 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 100 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBA124XDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA124XDXV6T1

stock de pièces: 1469

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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SMUN5335DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5335DW1T1G

stock de pièces: 189012

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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UMC2NT1
ON Semiconductor

UMC2NT1

stock de pièces: 1476

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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NSBC143ZDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143ZDXV6T1

stock de pièces: 1420

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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EMC4DXV5T1G
ON Semiconductor

EMC4DXV5T1G

stock de pièces: 149530

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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EMD4DXV6T1G
ON Semiconductor

EMD4DXV6T1G

stock de pièces: 138481

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC113EDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC113EDXV6T5

stock de pièces: 1490

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 1 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 1 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

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NSBC143TPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC143TPDXV6T1G

stock de pièces: 190887

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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