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RFQS / Commande
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Transistors - Bipolaires (BJT) - Tableaux, pr&eacu

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SMUN5116DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5116DW1T1G

stock de pièces: 119414

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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SMUN5211DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5211DW1T1G

stock de pièces: 152766

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5333DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5333DW1T3G

stock de pièces: 107424

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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SMUN5232DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5232DW1T1G

stock de pièces: 125478

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

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EMG2DXV5T5G
ON Semiconductor

EMG2DXV5T5G

stock de pièces: 175728

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSB4904DW1T1G
ON Semiconductor

NSB4904DW1T1G

stock de pièces: 119540

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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SMUN5330DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5330DW1T1G

stock de pièces: 197015

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 1 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 1 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

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MUN5235DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5235DW1T1G

stock de pièces: 143243

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSTB1002DXV5T1G
ON Semiconductor

NSTB1002DXV5T1G

stock de pièces: 198611

Type de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, 200mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, 40V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V,

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NSBA114TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA114TDP6T5G

stock de pièces: 172501

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5233DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5233DW1T3G

stock de pièces: 143904

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5136DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5136DW1T1G

stock de pièces: 137681

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 100 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 100 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVIMD10AMT1G
ON Semiconductor

NSVIMD10AMT1G

stock de pièces: 27

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 500mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 13 kOhms, 130 Ohms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V,

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NSVMUN5111DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5111DW1T3G

stock de pièces: 166215

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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NSVBC124EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC124EPDXV6T1G

stock de pièces: 133

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5314DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5314DW1T3G

stock de pièces: 172202

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBA124XDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA124XDXV6T1G

stock de pièces: 140822

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC114TDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC114TDXV6T1G

stock de pièces: 164848

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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MUN5132DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5132DW1T1G

stock de pièces: 128735

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

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NSVBC114EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC114EDXV6T1G

stock de pièces: 179563

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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SMUN5311DW1T2G
ON Semiconductor

SMUN5311DW1T2G

stock de pièces: 124246

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5312DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5312DW1T3G

stock de pièces: 121655

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5211DW1T2G
ON Semiconductor

NSVMUN5211DW1T2G

stock de pièces: 121426

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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IMH20TR1G
ON Semiconductor

IMH20TR1G

stock de pièces: 119987

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 600mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

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NSBC144EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC144EDXV6T5G

stock de pièces: 180837

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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EMC2DXV5T1G
ON Semiconductor

EMC2DXV5T1G

stock de pièces: 188232

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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NSVBC124XPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC124XPDXV6T1G

stock de pièces: 173078

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVB1706DMW5T1G
ON Semiconductor

NSVB1706DMW5T1G

stock de pièces: 192009

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC144WDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC144WDP6T5G

stock de pièces: 114076

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5116DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5116DW1T1G

stock de pièces: 183614

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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MUN5314DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5314DW1T1G

stock de pièces: 187882

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5214DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5214DW1T3G

stock de pièces: 125398

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5331DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5331DW1T1G

stock de pièces: 187285

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 2.2 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

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NSBA144WDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA144WDP6T5G

stock de pièces: 115037

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBA123JDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA123JDXV6T1

stock de pièces: 1409

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBA123TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA123TDP6T5G

stock de pièces: 110663

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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