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Transistors - Bipolaires (BJT) - Tableaux, pr&eacu

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NSVBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC124EDXV6T1G

stock de pièces: 106381

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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SMUN5235DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5235DW1T1G

stock de pièces: 184838

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN531335DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN531335DW1T3G

stock de pièces: 197856

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5334DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5334DW1T1G

stock de pièces: 194293

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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SMUN5113DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5113DW1T1G

stock de pièces: 148914

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5316DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5316DW1T1G

stock de pièces: 131393

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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NSVEMC2DXV5T1G
ON Semiconductor

NSVEMC2DXV5T1G

stock de pièces: 130286

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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NSVBC114YPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC114YPDXV6T1G

stock de pièces: 182892

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC114TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114TDP6T5G

stock de pièces: 112312

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5235DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5235DW1T1G

stock de pièces: 108992

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBA114YDXV6T1G

stock de pièces: 169568

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5332DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5332DW1T1G

stock de pièces: 104439

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5211DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5211DW1T3G

stock de pièces: 123032

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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NSBC114YPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC114YPDXV6T5G

stock de pièces: 155754

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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SMUN5213DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5213DW1T1G

stock de pièces: 151695

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC144WPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC144WPDP6T5G

stock de pièces: 156563

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC144EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC144EDP6T5G

stock de pièces: 168274

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5113DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5113DW1T3G

stock de pièces: 116755

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 1V,

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MUN5312DW1T2G
ON Semiconductor

MUN5312DW1T2G

stock de pièces: 134631

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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NSBC114YDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114YDP6T5G

stock de pièces: 103833

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5214DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5214DW1T1G

stock de pièces: 184027

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC144EPDXV6T1G

stock de pièces: 125769

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC123JPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC123JPDXV6T5G

stock de pièces: 126783

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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SMUN5216DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5216DW1T1G

stock de pièces: 155827

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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SSVMUN5312DW1T2G
ON Semiconductor

SSVMUN5312DW1T2G

stock de pièces: 122645

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5137DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5137DW1T1G

stock de pièces: 139504

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5133DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5133DW1T1G

stock de pièces: 198374

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVBC143TPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC143TPDXV6T1G

stock de pièces: 138721

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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SMUN5112DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5112DW1T1G

stock de pièces: 126017

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 22 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 22 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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SMUN5313DW1T3G
ON Semiconductor

SMUN5313DW1T3G

stock de pièces: 191285

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5213DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5213DW1T3G

stock de pièces: 119417

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA114YDXV6T1G

stock de pièces: 174121

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVBC114YDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC114YDXV6T1G

stock de pièces: 192965

Type de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBA114EDXV6T1G

stock de pièces: 195403

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 10 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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NSBA123JDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBA123JDXV6T5G

stock de pièces: 170353

Type de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 2.2 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC144EPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC144EPDP6T5G

stock de pièces: 141890

Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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