Capteurs optiques - Réfléchissants - | Capteurs, Transducteurs | 1

QRE00034

stock de pièces: 2759

Distance de détection: 0.157" (4mm), Méthode de détection: Reflective, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Courant - CC direct (si) (max): 50mA, Le type de sortie: Phototransistor,

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ON Semiconductor

OPB704W

stock de pièces: 2756

Distance de détection: 0.200" (5.08mm), Méthode de détection: Reflective, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 25mA, Courant - CC direct (si) (max): 40mA, Le type de sortie: Phototransistor,

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ON Semiconductor

QRE1113GR

stock de pièces: 178615

Distance de détection: 0.197" (5mm), Méthode de détection: Reflective, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 20mA, Courant - CC direct (si) (max): 50mA, Le type de sortie: Phototransistor,

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ON Semiconductor

QRD1113

stock de pièces: 38545

Distance de détection: 0.050" (1.27mm), Méthode de détection: Reflective, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Courant - CC direct (si) (max): 50mA, Le type de sortie: Phototransistor,

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ON Semiconductor

QRC1113

stock de pièces: 2734

Distance de détection: 0.150" (3.81mm), Méthode de détection: Reflective, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 20mA, Courant - CC direct (si) (max): 50mA, Le type de sortie: Phototransistor,

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ON Semiconductor

QRB1133

stock de pièces: 2798

Distance de détection: 0.150" (3.81mm), Méthode de détection: Reflective, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 20mA, Courant - CC direct (si) (max): 50mA, Le type de sortie: Phototransistor,

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ON Semiconductor

QRB1134

stock de pièces: 2734

Distance de détection: 0.150" (3.81mm), Méthode de détection: Reflective, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 20mA, Courant - CC direct (si) (max): 50mA, Le type de sortie: Phototransistor,

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ON Semiconductor

QRE1113

stock de pièces: 57727

Distance de détection: 0.197" (5mm), Méthode de détection: Reflective, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 20mA, Courant - CC direct (si) (max): 50mA, Le type de sortie: Phototransistor,

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ON Semiconductor

QRD1114

stock de pièces: 39835

Distance de détection: 0.050" (1.27mm), Méthode de détection: Reflective, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Courant - CC direct (si) (max): 50mA, Le type de sortie: Phototransistor,

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ON Semiconductor

QRD1313

stock de pièces: 2740

Distance de détection: 0.050" (1.27mm), Méthode de détection: Reflective, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Courant - CC direct (si) (max): 50mA, Le type de sortie: Photodarlington,

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ON Semiconductor

QRB1113

stock de pièces: 2703

Distance de détection: 0.150" (3.81mm), Méthode de détection: Reflective, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 20mA, Courant - CC direct (si) (max): 50mA, Le type de sortie: Phototransistor,

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ON Semiconductor

QRB1114

stock de pièces: 2747

Distance de détection: 0.150" (3.81mm), Méthode de détection: Reflective, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 20mA, Courant - CC direct (si) (max): 50mA, Le type de sortie: Phototransistor,

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ON Semiconductor

QRC1133

stock de pièces: 2700

Distance de détection: 0.150" (3.81mm), Méthode de détection: Reflective, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 20mA, Courant - CC direct (si) (max): 50mA, Le type de sortie: Phototransistor,

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