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Type de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 100mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 50V, Résistance - Base (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,