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RFQS / Commande
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Transistors - FET, MOSFET - Simple

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1HP04CH-TL-W
ON Semiconductor

1HP04CH-TL-W

stock de pièces: 100908

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 Ohm @ 80mA, 10V,

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1HN04CH-TL-W
ON Semiconductor

1HN04CH-TL-W

stock de pièces: 117115

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 140mA, 10V,

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2N7000-D75Z
ON Semiconductor

2N7000-D75Z

stock de pièces: 99

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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2SK4094-1E
ON Semiconductor

2SK4094-1E

stock de pièces: 20693

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

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2SJ661-1E
ON Semiconductor

2SJ661-1E

stock de pièces: 57846

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 38A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

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2SK3746-1E
ON Semiconductor

2SK3746-1E

stock de pièces: 15517

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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2SK3703-1E
ON Semiconductor

2SK3703-1E

stock de pièces: 40945

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 15A, 10V,

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2SJ652-1E
ON Semiconductor

2SJ652-1E

stock de pièces: 33065

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 28A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 14A, 10V,

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2SK3745LS-1E
ON Semiconductor

2SK3745LS-1E

stock de pièces: 18892

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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2SK3747-1E
ON Semiconductor

2SK3747-1E

stock de pièces: 15610

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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2SK4177-DL-1E
ON Semiconductor

2SK4177-DL-1E

stock de pièces: 30646

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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2SJ661-DL-1E
ON Semiconductor

2SJ661-DL-1E

stock de pièces: 57287

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 38A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

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2N7000BU_T
ON Semiconductor

2N7000BU_T

stock de pièces: 2253

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 200mA (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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2SK4066-DL-1EX
ON Semiconductor

2SK4066-DL-1EX

stock de pièces: 2250

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

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2SK4065-DL-1EX
ON Semiconductor

2SK4065-DL-1EX

stock de pièces: 2210

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 75V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

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2SJ661-1EX
ON Semiconductor

2SJ661-1EX

stock de pièces: 2203

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

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2SJ652-1EX
ON Semiconductor

2SJ652-1EX

stock de pièces: 2120

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

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2SK3816-DL-1EX
ON Semiconductor

2SK3816-DL-1EX

stock de pièces: 2164

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

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2SK3703-1EX
ON Semiconductor

2SK3703-1EX

stock de pièces: 2124

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

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2SJ661-DL-1EX
ON Semiconductor

2SJ661-DL-1EX

stock de pièces: 2140

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

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2SK4125-1EX
ON Semiconductor

2SK4125-1EX

stock de pièces: 2103

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

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2SK4098FS
ON Semiconductor

2SK4098FS

stock de pièces: 2085

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V,

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2SK4125-1E
ON Semiconductor

2SK4125-1E

stock de pièces: 6248

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

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2SK536-MTK-TB-E
ON Semiconductor

2SK536-MTK-TB-E

stock de pièces: 198740

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V,

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2SK4099LS-1E
ON Semiconductor

2SK4099LS-1E

stock de pièces: 1876

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 4A, 10V,

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2SK4124-1E
ON Semiconductor

2SK4124-1E

stock de pièces: 6267

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

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2SK4087LS-1E
ON Semiconductor

2SK4087LS-1E

stock de pièces: 1869

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

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2SK4088LS-1E
ON Semiconductor

2SK4088LS-1E

stock de pièces: 1874

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 5.5A, 10V,

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2SK4066-DL-1E
ON Semiconductor

2SK4066-DL-1E

stock de pièces: 1810

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

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2SK4085LS-1E
ON Semiconductor

2SK4085LS-1E

stock de pièces: 1812

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

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2SK4066-1E
ON Semiconductor

2SK4066-1E

stock de pièces: 1849

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

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2SK3820-DL-1E
ON Semiconductor

2SK3820-DL-1E

stock de pièces: 1839

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 26A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

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2SK4065-DL-1E
ON Semiconductor

2SK4065-DL-1E

stock de pièces: 1813

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 75V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

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2SK3748-1E
ON Semiconductor

2SK3748-1E

stock de pièces: 10717

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V,

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2SK3816-DL-1E
ON Semiconductor

2SK3816-DL-1E

stock de pièces: 1843

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

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2N7002WST1G
ON Semiconductor

2N7002WST1G

stock de pièces: 1836

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,

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