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Type FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fonction FET: GaNFET (Gallium Nitride), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 23A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA,