Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 11dB, Puissance - Max: 180mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Gagner: 9.5dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 14.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 15GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gagner: 16dB, Puissance - Max: 205mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 15GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 1.8W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.3dB @ 1GHz, Gagner: 8.3dB, Puissance - Max: 1.8W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz, Gagner: 13.5dB, Puissance - Max: 205mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3.3V, Fréquence - Transition: 15GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Gagner: 14dB, Puissance - Max: 190mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3.3V, Fréquence - Transition: 21GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Gagner: 14dB, Puissance - Max: 115mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 3.3V, Fréquence - Transition: 25GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Gagner: 17dB, Puissance - Max: 115mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 1.2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 11dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Gagner: 7.5dB, Puissance - Max: 125mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 125mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 5.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz, Gagner: 7dB, Puissance - Max: 2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 125mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 13.5dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 4.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6.7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 9dB, Puissance - Max: 800mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Gagner: 18dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 6GHz, Gagner: 11dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 45V, Fréquence - Transition: 2.3GHz, Gagner: 8dB, Puissance - Max: 5.6W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 400MHz, Gagner: 12dB @ 400MHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Fréquence - Transition: 400MHz, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 22V, Fréquence - Transition: 3.4GHz ~ 3.7GHz, Gagner: 7dB ~ 9dB, Puissance - Max: 5.3W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 22V, Fréquence - Transition: 3.7GHz, Gagner: 8.5dB ~ 9.5dB, Puissance - Max: 5W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 40V, Fréquence - Transition: 2.2GHz ~ 2.5GHz, Gagner: 8.5dB, Puissance - Max: 10W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 22V, Fréquence - Transition: 4.3GHz, Gagner: 8.5dB ~ 9.5dB, Puissance - Max: 3W,
