Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 8V, Fréquence - Transition: 1.5GHz, Puissance - Max: 400mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 8V, Fréquence - Transition: 1.5GHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 1.7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz, Gagner: 16dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 4V, Fréquence - Transition: 10GHz ~ 12.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz, Gagner: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 4.7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Gagner: 8dB, Puissance - Max: 1.3W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 24V, Fréquence - Transition: 1GHz, Gagner: 8dB ~ 8.5dB, Puissance - Max: 21W,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Gagner: 25dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 21V, Fréquence - Transition: 2GHz, Gagner: 7dB ~ 9dB, Puissance - Max: 5.3W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 22V, Fréquence - Transition: 3.7GHz, Gagner: 6dB ~ 6.3dB, Puissance - Max: 9W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 42V, Fréquence - Transition: 2.3GHz, Gagner: 8dB, Puissance - Max: 20.5W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 300MHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 300MHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 800MHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 11dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Fréquence - Transition: 550MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Gagner: 17dB ~ 23dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 11dB ~ 16.5dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Gagner: 13dB ~ 7dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Gagner: 13dB ~ 7.5dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Fréquence - Transition: 550MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Gagner: 17dB ~ 23dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 2GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 600MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 6dB @ 60kHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 500MHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 6.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 1.2W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 12GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Gagner: 8.5dB, Puissance - Max: 125mW,
