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RFQS / Commande
0RFQS / Commande

Diodes - Redresseurs - Simples

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  • Diodes - Redresseurs - Simples
CUS05S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S30,H3F

stock de pièces: 141424

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 340mV @ 100mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS10S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S30,H3F

stock de pièces: 175222

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 230mV @ 100mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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JDH2S02SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

JDH2S02SL,L3F

stock de pièces: 21594

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 10V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10mA (DC), La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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CTS520,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CTS520,L3F

stock de pièces: 122854

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 200mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CCS15S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S40,L3F

stock de pièces: 159042

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS10S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S40,H3F

stock de pièces: 172576

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 400mV @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMF05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMF05(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 158502

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.7V @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 100ns,

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CTS05S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05S30,L3F

stock de pièces: 114342

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 340mV @ 100mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CES388,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES388,L3F

stock de pièces: 155708

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 100mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 100mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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CMS11(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 159752

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS05S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S40,H3F

stock de pièces: 139868

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 350mV @ 100mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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TRS6E65C,S1AQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS6E65C,S1AQ

stock de pièces: 11358

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 6A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 6A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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CMS03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 144392

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 450mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS06(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS06(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 184133

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 370mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRS09(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 139204

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 460mV @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRH01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 121678

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 980mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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CRS08(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 183971

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 360mV @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRS01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 104302

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 360mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 164330

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 370mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS05(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 112076

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 450mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS08F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS08F30,H3F

stock de pièces: 193256

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 800mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 220mV @ 10mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CBS10F40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10F40,L3F

stock de pièces: 8420

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS10F40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F40,H3F

stock de pièces: 4875

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 670mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS520,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS520,H3F

stock de pièces: 181235

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 280mV @ 10mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS05F40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F40,H3F

stock de pièces: 4923

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 810mV @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS05F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F30,H3F

stock de pièces: 151245

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 450mV @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CTS05F40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05F40,L3F

stock de pièces: 8357

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 810mV @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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