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RFQS / Commande
0RFQS / Commande

Diodes - Redresseurs - Simples

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CMS17(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS17(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 117

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 480mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS30I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS30I40A(TE12L,QM

stock de pièces: 100

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRF02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRF02(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 88

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 3V @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 100ns,

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CRS20I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS20I30A(TE85L,QM

stock de pièces: 166057

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 490mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRS12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS12(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 177271

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 580mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRS15I30B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS15I30B(TE85L,QM

stock de pièces: 79

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 400mV @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS15(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS15(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 163

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 580mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMF01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMF01(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 194437

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2V @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 100ns,

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CRG04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG04(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 185173

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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CRF03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRF03(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 157727

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 700mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2V @ 700mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 100ns,

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CRH01(TE85R,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85R,Q,M)

stock de pièces: 160805

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 980mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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CMS10I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I30A(TE12L,QM

stock de pièces: 142

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 360mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS07(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS07(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 160837

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 450mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRG03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG03(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 187277

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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CMS10I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I40A(TE12L,QM

stock de pièces: 192

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 450mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRS03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS03(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 104522

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 450mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS20I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS20I40A(TE12L,QM

stock de pièces: 152

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 520mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CES520,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES520,L3F

stock de pièces: 178640

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 200mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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CES521,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES521,L3F

stock de pièces: 160204

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 500mV @ 200mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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TRS12E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12E65C,S1Q

stock de pièces: 5730

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 12A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 12A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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CUS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS06(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 236

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 450mV @ 700mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS14(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS14(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 113027

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 580mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS10I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I30A(TE85L,QM

stock de pièces: 200

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 390mV @ 700mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMS16(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS16(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 182845

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMG02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMG02(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 177

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 2A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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CUS15I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15I30A(TE85L,QM

stock de pièces: 158

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 460mV @ 1.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMH01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH01(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 162

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 980mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 100ns,

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CUS03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS03(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 175

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 700mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 520mV @ 700mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CUS05(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 154

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 370mV @ 700mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CRH02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH02(TE85L,Q,M)

stock de pièces: 159

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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CMH04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH04(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 168712

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 980mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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CMH08A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08A(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 153282

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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CMC02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMC02(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 171

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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CMS30I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS30I30A(TE12L,QM

stock de pièces: 187

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 490mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMH02A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH02A(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 184

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 100ns,

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CMG03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMG03(TE12L,Q,M)

stock de pièces: 172

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 2A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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