Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 13dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 11dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Fréquence - Transition: 550MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Gagner: 17dB ~ 23dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 11dB ~ 16.5dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Gagner: 13dB ~ 7dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Gagner: 13dB ~ 7.5dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Fréquence - Transition: 550MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Gagner: 17dB ~ 23dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Fréquence - Transition: 550MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, Gagner: 23dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 12dB ~ 17dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Gagner: 18dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 6GHz, Gagner: 11dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 10V, Fréquence - Transition: 10GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Gagner: 1.4dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Fréquence - Transition: 550MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 5dB @ 100MHz, Gagner: 23dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 11.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 700mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 6V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz, Gagner: 10.5dB, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.3V, Fréquence - Transition: 7.7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Gagner: 10.5dB, Puissance - Max: 1.6W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.3V, Fréquence - Transition: 12.5GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Gagner: 11.8dB, Puissance - Max: 800mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Gagner: 16.5dB, Puissance - Max: 1.8W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.45dB @ 20mA, 5V, Gagner: 12dB, Puissance - Max: 900mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.3V, Fréquence - Transition: 11.2GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Gagner: 12.5dB, Puissance - Max: 900mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5V, Fréquence - Transition: 4GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz, Gagner: 4.5dBi, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 7GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Gagner: 11.5dB, Puissance - Max: 200mW,
